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메모리 반도체 분야 독보적 선진국이던 한국을 중국이 턱밑까지 바짝 쫓아왔다. 한·중 D램 기술력 격차는 급격히 좁혀지고 있으며, 중국의 낸드플래시 제조역량은 한국과 거의 같은 수준에 도달했다. 무엇보다 인공지능(AI)시대 필수 부품인 고대역폭메모리(HBM) 기술은 사실상 중국이 한국을 역전했다.

12일 백서인 한양대 중국학 교수 연구팀이 학술 연구 데이터베이스인 ‘웹오브사이언스’를 활용해 최신 HBM 연구동향을 분석한 결과 지난 해 중국 학술기관은 HBM 부문에서 총 169편 논문을 등재한 것으로 집계됐다. 한국의 논문은 67편에 불과했다. HBM 종주국 한국보다 중국이 2.5배 이상 논문을 많이 발간한 것이다. 미국이 114편이었고 독일 30편, 인도 29편, 대만 23편 순이었다. 2000년대 초만 하더라도 HBM 논문은 한국이 가장 많이 내놨었다.

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세계 HBM 시장의 90%를 한국이 차지하고 있지만 기초연구에서는 중국에 추월당한 셈이다. 백 교수는“중국이 핵심 반도체 분야에서 한국보다 더 많은 학술적 성과를 축적하고 있다는 뜻”이라며 “창신메모리(CXMT)를 비롯한 중국 칩 기업은 HBM2 대량 생산을 통해 HBM 자급률을 내년까지 70%로 끌어올릴 것”이라고 밝혔다. 실제로 중국은 CXMT, 우한신신(XMC), 퉁푸 마이크로일렉트로닉스 등이 HBM2 개발을 마친 상태다. 통푸 마이크로일렉트로닉스는 화웨이에 HBM2를 납품했다. 백 교수는 “한·중 메모리 기술격차는 종전 10년 수준에서, 수년 이하로 좁혀질 가능성이 있다”고 했다.

D램 역시 중국이 맹추격하고 있다. 욜인텔리전스에 따르면 D램 시장에서 CXMT 점유율은 지난 해 5%다. 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론이라는 절대체제에 서서히 금이 가는 대목이다. 트렌드포스는 올 3분기 메모리시장 중국산 점유율이 10.1%를 차지할 것으로 내다봤다.

CXMT는 데이터 전송속도를 높이기 위해 설계된 메모리 DDR에서 DDR5까지 개발한 상태다. 한국이 DDR5를 양산한 시점이 2021년이기 때문에, 한·중 기술 격차가 3년 정도로 단축된 것이다.

반도체 업체 관계자는 “미국 정부의 대대적인 대중국 반도체 견제로 한숨을 돌릴 여유가 생겼다”면서도 “중국의 반도체 기술개발 속도가 워낙 빨라 수년 전부터는 결코 안심하지 못하는 상황이다”고 설명했다.