삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 경쟁력을 강화하기 위해 대규모 경력직 채용에 나섰다. 설계부터 패키지, 평가까지 전 과정을 아우르는 기술 인재 확보에 본격 착수했다.

2일 삼성전자에 따르면 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문이 최근 메모리사업부를 중심으로 HBM 회로 설계, 패키지 공정 개발, 열·전기 해석, 신뢰성 분석, 제품 평가 등 전방위 분야 인재 채용 공고를 냈다. 범용 D램, 저전력 D램, 낸드플래시 제품군에 대해서도 회로 설계, 공정 개발, 제품 평가 인력을 동시에 모집 중이다.

차세대 D램과 고용량 낸드 수요에 대응하기 위해 전체 메모리 라인의 기술 저변 확대에 나선 것으로 풀이된다.

채용 직무는 아날로그·디지털 회로 설계부터 데이터 경로 설계, 고속 신호전달 회로, 전력 손실 저감 회로, 혼합신호 기반 인터페이스 설계 등으로 세분됐다.

삼성전자가 특정 제품군을 중심으로 전 과정을 동시에 채용하는 건 이례적이다. 설계·공정·평가 인력을 한꺼번에 보강하는 건 사업 속도를 속도감 있게 끌어올리겠다는 신호로 해석된다.

HBM은 인공지능(AI) 가속기와 고성능 컴퓨팅(HPC)에 탑재되는 초고속·고대역폭메모리다. 연산처리 속도와 시스템 효율을 결정짓는 핵심 부품이다.

업계에서는 삼성전자의 이번 채용이 단순한 인력 보강 차원이 아닌 HBM과 메모리 전반에 걸친 사업 재정비 신호로 보고 있다. 고대역폭메모리 설계와 후공정 열 제어 기술 등 고난도 기술 내재화에 속도를 내야 시장 반등에 대응할 수 있다는 판단이다.

삼성전자는 최근 HBM 제품 수율과 발열 문제를 보완하기 위해 회로 설계와 패키징 구조를 동시에 개선 중인 것으로 알려졌다.

[박소라 기자]