삼성전자 반도체 기술을 중국으로 빼돌린 혐의를 받는 삼성전자 전직 부장이 1심에서 징역 7년을 선고받고 법정 구속됐다. 이는 기술유출 범죄에 내려진 가장 무거운 형벌이다.
서울중앙지법 제25형사부(부장판사 지귀연)는 19일 산업기술의 유출방지 및 보호에 관한 법률 위반 등 혐의로 기소된 김모씨에게 징역 7년과 벌금 2억원을 선고했다. 함께 재판에 넘겨진 피고인 4명에겐 징역 10개월~2년6개월이 선고됐다. 이번 1심 판결은 역대 기술 유출 범죄 중 최장 형량이다. 지금까진 징역 5년이 기술유출 범죄에 선고된 가장 긴 형량이었다.
재판부는 피고인들의 기술 유출이 국내 반도체 기업들에 막대한 규모 피해를 야기했다고 인정했다. 재판부는 “피고인은 국가핵심기술인 18나노 D램 공정정보를 부정취득 후 도용해 피해 회사와 국가 경쟁력에 큰 악영향을 끼쳤다”며 “삼성전자 등 국내 반도체 기업이 들인 개발비와 양산비용은 물론 중국 경쟁 업체가 유사 제품을 개발해 양산에 성공한 점 등을 감안하면 피해회사가 입은 피해 규모는 실로 막대할 것”이라고 판단했다.
검찰에 따르면 해당 기술 유출 건으로 삼성전자가 입은 피해는 연간 최소 4조5000억원에서 최대 10조5000억원에 달한다. 삼성전자는 18나노 D램 개발에 2012년 4월부터 2016년 2월까지 1조6000억원을 투입한 것으로 조사됐다.
삼성전자 기술팀 부장 출신인 김씨는 삼성전자 등 국내 기업의 반도체 원자층 증착(ALD) 관련 기술 자료를 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT) 제품 개발에 사용한 혐의로 지난해 1월 기소됐다. 2022년 중국에 반도체 장비업체 신카이를 설립하고 함께 기소된 피고인 4명으로부터 유진테크 등 삼성전자 협력사의 기술자료를 부당취득 및 사용한 혐의도 받는다.
재판부는 대다수 혐의를 유죄로 인정했다. 다만 일부 유출 기술의 산업기술 해당 여부 및 실제 도용 여부는 입증하기 어렵다고 판단했다. 재판부는 “유출된 기술 중 리액터 모듈의 프로세스 유닛과 히터 기술을 제외하면 산업기술보호법상 보호되는 산업기술로 보기 무리가 있다”며 “유출된 프로세스 유닛 기술을 중국 회사 제품이 실제로 도용했다고 확신할 근거는 없다”고 말했다.
